Infineon Technologies IRLU3715ZPBF
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IRLU3715ZPBF
1211-IRLU3715ZPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-CH 20V 49A I-PAK
--最小包装量--
IRLU3715ZPBF详情
Infineon Technologies IRLU3715ZPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
49A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
40W Tc
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
通孔
电压 - 额定直流
20V
额定电流
49A
功率耗散
40W
接通延迟时间
7.8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.55V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
810pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 4.5V
上升时间
13ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.3 ns
连续放电电流(ID)
49A
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
恢复时间
17 ns
栅源电压
2.1 V
高度
6.1mm
长度
6.6mm
宽度
2.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRLU3715ZPBF拓展信息
Infineon Technologies
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