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首页 全部分类 IRLU3715ZPBF vs NTD4865N-35G

IRLU3715ZPBF备选型号: NTD4865N-35G

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  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRLU3715ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 49A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    49A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    20V
    49A
    40W
    7.8 ns
    N-Channel
    11m Ω @ 15A, 10V
    2.55V @ 250μA
    810pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    13ns
    ±20V
    4.3 ns
    49A
    2.1V
    20V
    20V
    20V
    17 ns
    2.1 V
    6.1mm
    6.6mm
    2.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4865N-35G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    3
    8.5A Ta 44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    1.92W
    -
    N-Channel
    10.9m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    827pF @ 12V
    10.8nC @ 4.5V
    19ns
    ±20V
    19 ns
    44A
    -
    20V
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    8.5A
    0.0109Ohm
    87A
    50 mJ
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