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IRLU8256PBF备选型号: IRLU8726PBF
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 元素配置
MOSFET N-CH 25V 81A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3I-PAK81A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)通孔175°C-55°C63W9.7 nsN-Channel5.7mOhm @ 25A, 10V2.35V @ 25μA1470pF @ 13V15nC @ 4.5V46ns25V±20V8.5 ns81A1.8V20V25V25V1.47nF29 ns8.5mOhm5.7 mΩ1.8 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无符合RoHS标准-- MOSFET N-CH 30V 86A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3I-PAK86A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)-175°C-55°C75W12 nsN-Channel5.8mOhm @ 25A, 10V2.35V @ 50μA2150pF @ 15V23nC @ 4.5V49ns30V±20V16 ns86A1.8V20V30V-2.15nF36 ns8mOhm5.8 mΩ1.8 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无符合RoHS标准Single
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLU8726PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 86A IPAK | 对比 |
 | NTD4855N-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 14A IPAK | 对比 |
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