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IRLU8256PBF备选型号: NTD4855N-35G
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- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
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- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
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MOSFET N-CH 25V 81A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3I-PAK81A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)通孔175°C-55°C63W9.7 nsN-Channel5.7mOhm @ 25A, 10V2.35V @ 25μA1470pF @ 13V15nC @ 4.5V46ns25V±20V8.5 ns81A1.8V20V25V25V1.47nF29 ns8.5mOhm5.7 mΩ1.8 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无符合RoHS标准--------------------
MOSFET N-CH 25V 14A IPAK通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak3-14A Ta 98A Tc-55°C~175°C TJTube-2008Obsolete1 (Unlimited)---2.24W-N-Channel4.3m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA2950pF @ 12V32.7nC @ 4.5V16.52ns-±20V4.35 ns17.7A-20V25V-----------符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)SILICONe3yes3EAR99Tin (Sn)未说明未说明3不合格Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING14A0.006Ohm197A220 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLU8726PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 86A IPAK | 对比 |
 | NTD4855N-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 14A IPAK | 对比 |
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