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首页 全部分类 IRS2001PBF vs FAN73832N

IRS2001PBF备选型号: FAN73832N

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  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
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  • 功能数量
  • 电源电压
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  • 基本部件号
  • 最大电流源
  • 输出的数量
  • 输出电压
  • 最大输出电流
  • 电源
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 发布时间
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 无铅代码
  • 终端
  • 驱动器数量
  • Infineon Technologies
    IRS2001PBF
    Infineon Technologies
    IC DRIVER HI/LO SIDE 200V 8-DIP
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    通孔
    通孔
    8
    Half-Bridge
    270μA
    1996
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1W
    10V~20V
    DUAL
    250
    1
    15V
    30
    IRS2001PBF
    270μA
    2
    20V
    600mA
    15V
    1W
    130mA
    220 ns
    Non-Inverting
    160 ns
    100ns
    60 ns
    150 ns
    70ns 35ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    200V
    7.11mm
    10.8966mm
    4.9276mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FAN73832N
    ON Semiconductor
    IC, DRIVER, GATE HALF BRIDGE, DIP8
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    通孔
    通孔
    8
    Half-Bridge
    850μA
    -
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    1.25W
    15V~20V
    -
    -
    -
    -
    -
    FAN73832
    850μA
    -
    620V
    650mA
    -
    1.25W
    350mA
    730 ns
    Non-Inverting
    730 ns
    100ns
    80 ns
    -
    50ns 30ns
    -
    Synchronous
    IGBT, N-Channel MOSFET
    350mA 650mA
    -
    600V
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    851mg
    yes
    通孔
    2
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