IRS2001PBF备选型号: IRS2128PBF

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  • 功能数量
  • 电源电压
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  • 输出的数量
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  • 电源
  • 电源电流
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  • 输出电流
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  • 传播延迟
  • 输入类型
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  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 发布时间
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子间距
  • 引脚数量
  • 温度等级
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 静态电流
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • Infineon Technologies
    IC DRIVER HI/LO SIDE 200V 8-DIP
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1W
    10V~20V
    DUAL
    250
    1
    15V
    30
    IRS2001PBF
    2
    20V
    600mA
    15V
    270μA
    1W
    130mA
    270μA
    220 ns
    Non-Inverting
    160 ns
    100ns
    60 ns
    150 ns
    70ns 35ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    200V
    4.9276mm
    10.8966mm
    7.11mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • International Rectifier
    DRIVER, CURRENT SENSE, 1 CH, 8PDIP - More Details
    通孔
    -
    DIP
    8
    1W
    -
    -
    2006
    e3
    活跃
    -
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    DUAL
    250
    1
    15V
    30
    -
    1
    -
    600mA
    -
    120μA
    1W
    200mA
    120μA
    200 ns
    -
    150 ns
    130ns
    65 ns
    150 ns
    -
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    -
    -
    -
    -
    5.33mm
    10.92mm
    7.11mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    yes
    125°C
    -40°C
    2.54mm
    8
    AUTOMOTIVE
    20V
    10V
    60μA
    0.2 µs
    0.6A
    YES
    0.2 µs
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