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首页 全部分类 IRS2011PBF vs MC34151P

IRS2011PBF备选型号: MC34151P

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  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
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  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 驱动器数量
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 座位高度(最大)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRS2011PBF
    Infineon Technologies
    In a Tube of 50, Infineon IRS2011PBF Dual High and Low Side MOSFET Power Driver, 1A 8-Pin, PDIP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    1996
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1W
    10V~20V
    DUAL
    1
    15V
    IRS2011PBF
    2
    220V
    1A
    15V
    300μA
    1W
    1A
    300μA
    80 ns
    Inverting
    20 ns
    200V
    40ns
    35 ns
    25ns 15ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    N-Channel MOSFET
    1A 1A
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    4.9276mm
    10.8966mm
    7.11mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MC34151P
    ON Semiconductor
    IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8DIP
    -
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Low-Side
    0°C~150°C TJ
    2009
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1W
    6.5V~18V
    DUAL
    2
    12V
    MC34151
    -
    -
    -
    -
    10.5mA
    -
    -
    -
    -
    Inverting
    -
    -
    31ns
    32 ns
    31ns 32ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Independent
    N-Channel MOSFET
    1.5A 1.5A
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    e0
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    不合格
    2
    0.1 μs
    1.5A
    NO
    0.1 μs
    4.45mm
    含铅
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