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首页 全部分类 IRS2011PBF vs TC428CPA

IRS2011PBF备选型号: TC428CPA

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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRS2011PBF
    Infineon Technologies
    In a Tube of 50, Infineon IRS2011PBF Dual High and Low Side MOSFET Power Driver, 1A 8-Pin, PDIP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    1996
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1W
    10V~20V
    DUAL
    1
    15V
    IRS2011PBF
    2
    220V
    1A
    15V
    300μA
    1W
    1A
    300μA
    80 ns
    Inverting
    20 ns
    200V
    40ns
    35 ns
    25ns 15ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    N-Channel MOSFET
    1A 1A
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    4.9276mm
    10.8966mm
    7.11mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    TC428CPA
    Microchip Technology
    IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8-DIP
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Low-Side
    0°C~70°C TA
    2003
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    730mW
    4.5V~18V
    DUAL
    2
    -
    TC428
    2
    18V
    1.5A
    -
    8mA
    730mW
    1.5A
    8mA
    75 ns
    Inverting, Non-Inverting
    75 ns
    -
    30ns
    30 ns
    30ns 30ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Independent
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.5A 1.5A
    -
    4.06mm
    10.16mm
    6.6mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    8
    16V
    0.075 μs
    1.5A
    YES
    无铅
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