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首页 全部分类 IRS2108STRPBF vs NCP5109ADR2G

IRS2108STRPBF备选型号: NCP5109ADR2G

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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 无卤素
  • 关断时间
  • Infineon Technologies
    IRS2108STRPBF
    Infineon Technologies
    IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    e3
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    IRS2108SPBF
    10V
    600mA
    15V
    1.6mA
    625mW
    290mA
    1.6mA
    300 ns
    Inverting, Non-Inverting
    30 ns
    220ns
    80 ns
    100ns 35ns
    Independent
    2
    0.3 μs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NCP5109ADR2G
    ON Semiconductor
    Driver 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    -
    -
    500mA
    15V
    -
    -
    500mA
    -
    -
    Non-Inverting
    170 ns
    85ns
    35 ns
    85ns 35ns
    Independent
    2
    0.17 μs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    UNDER VOLTAGE
    200V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    yes
    未说明
    未说明
    8
    不合格
    无卤素
    0.17 μs
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