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首页 全部分类 IRS2153DSPBF vs AUIRS2004S

IRS2153DSPBF备选型号: AUIRS2004S

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  • 电源电流
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  • 最大输出电压
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  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
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  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 驱动器数量
  • 座位高度(最大)
  • Infineon Technologies
    IRS2153DSPBF
    Infineon Technologies
    IC DVR HALF BRIDGE SELF OSC 8SOI
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Integrated Circuit (IC)
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    10V~15.4V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    14V
    100kHz
    30
    IRS2153DSPBF
    2
    625.3V
    260mA
    14V
    5mA
    625mW
    260mA
    5mA
    RC输入电路
    625V
    220ns
    80 ns
    120ns 50ns
    Synchronous
    N-Channel MOSFET
    180mA 260mA
    UNDER VOLTAGE
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRS2004S
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    -
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    -
    30
    AUIRS2004S
    -
    -
    600mA
    15V
    -
    625mW
    130mA
    -
    Non-Inverting
    -
    220ns
    170 ns
    160ns 70ns
    Synchronous
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    200V
    -
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    Automotive, AEC-Q100
    880 ns
    150 ns
    2
    1.75mm
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