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首页 全部分类 IRS2153DSPBF vs IR2151SPBF

IRS2153DSPBF备选型号: IR2151SPBF

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  • 电源电流
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  • 输出电流
  • 最大电源电流
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  • 最大输出电压
  • 上升时间
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  • 信道型
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 驱动器数量
  • Infineon Technologies
    IRS2153DSPBF
    Infineon Technologies
    IC DVR HALF BRIDGE SELF OSC 8SOI
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Integrated Circuit (IC)
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    10V~15.4V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    14V
    100kHz
    30
    IRS2153DSPBF
    2
    625.3V
    260mA
    14V
    5mA
    625mW
    260mA
    5mA
    RC输入电路
    625V
    220ns
    80 ns
    120ns 50ns
    Synchronous
    N-Channel MOSFET
    180mA 260mA
    UNDER VOLTAGE
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IR2151SPBF
    Infineon Technologies
    IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    625mW
    10V~20V
    -
    -
    -
    -
    -
    106kHz
    -
    IR2151SPBF
    2
    20V
    250mA
    -
    5mA
    625mW
    250mA
    5mA
    RC输入电路
    -
    120ns
    70 ns
    80ns 40ns
    Synchronous
    IGBT, N-Channel MOSFET
    125mA 250mA
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    8-SOIC
    125°C
    -40°C
    20V
    12V
    2
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