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首页 全部分类 IRS21856SPBF vs AUIRS2110S

IRS21856SPBF备选型号: AUIRS2110S

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  • 宽度
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  • RoHS状态
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  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 电源
  • 功率耗散
  • 传播延迟
  • 电源电压1-额定值
  • 内置保护器
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRS21856SPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    14
    Half-Bridge
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    Obsolete
    2 (1 Year)
    EAR99
    1W
    10V~20V
    未说明
    未说明
    IRS21856SPBF
    500mA
    120μA
    500mA
    Non-Inverting
    250 ns
    30ns
    20 ns
    30ns 20ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    500mA 500mA
    600V
    1.4986mm
    8.7376mm
    3.9878mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRS2110S
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    35 ns
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    1.25W
    3V~20V
    260
    30
    AUIRS2110S
    2.5A
    -
    2.5A
    Non-Inverting
    35 ns
    40ns
    30 ns
    25ns 15ns
    -
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    2.5A 2.5A
    500V
    2.35mm
    10.4902mm
    7.5946mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    Automotive, AEC-Q100
    e3
    16
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    15V
    1.25W
    230 ns
    15V
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    无
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