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首页 全部分类 IRS21856SPBF vs MIC4425YWM

IRS21856SPBF备选型号: MIC4425YWM

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  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输出的数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 传播延迟
  • Infineon Technologies
    IRS21856SPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    14
    Half-Bridge
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    Obsolete
    2 (1 Year)
    EAR99
    1W
    10V~20V
    未说明
    未说明
    IRS21856SPBF
    500mA
    120μA
    500mA
    Non-Inverting
    250 ns
    30ns
    20 ns
    30ns 20ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    500mA 500mA
    600V
    1.4986mm
    8.7376mm
    3.9878mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MIC4425YWM
    Microchip Technology
    IC DRIVER MOSFET 3A DUAL 16-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    活跃
    2 (1 Year)
    -
    -
    4.5V~18V
    -
    -
    MIC4425
    3A
    2mA
    3A
    Inverting, Non-Inverting
    -
    28ns
    32 ns
    28ns 32ns
    -
    Independent
    2
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    3A 3A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8 Weeks
    16-SOIC
    85°C
    -40°C
    2
    18V
    4.5V
    75 ns
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