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首页 全部分类 IRS2607DSTRPBF vs NCP5109ADR2G

IRS2607DSTRPBF备选型号: NCP5109ADR2G

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  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 无铅代码
  • 引脚数量
  • 电源
  • 无卤素
  • 接通时间
  • 内置保护器
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRS2607DSTRPBF
    Infineon Technologies
    IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    e3
    Obsolete
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    200Ohm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    IRS2607DSPBF
    1
    不合格
    350mA
    625mW
    200mA
    715 ns
    Non-Inverting
    50 ns
    220ns
    80 ns
    150ns 50ns
    全桥mosfet驱动器
    Independent
    2
    0.2A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    YES
    0.7 μs
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NCP5109ADR2G
    ON Semiconductor
    Driver 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    15V
    未说明
    -
    -
    不合格
    500mA
    -
    500mA
    -
    Non-Inverting
    170 ns
    85ns
    35 ns
    85ns 35ns
    -
    Independent
    2
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    -
    0.17 μs
    200V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    15 Weeks
    yes
    8
    15V
    无卤素
    0.17 μs
    UNDER VOLTAGE
    无铅
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