IRS2608DSPBF备选型号: IRS2607DSTRPBF
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- 输出电流
- 传播延迟
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 驱动器数量
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 接口IC类型
- 输出峰值电流限制-名
- 高边驱动器
- 关断时间
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SOICHalf-Bridge-40°C~150°C TJTube1996Obsolete2 (1 Year)SMD/SMT200Ohm125°C-40°C625mW10V~20VIRS2608DSPBF2620V350mA20V10V625mW200mA380 nsInverting, Non-Inverting60 ns220ns80 ns150ns 50nsIndependent2IGBT, N-Channel MOSFET200mA 350mA600V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC符合RoHS标准无铅---------------
- IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-Half-Bridge-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)1996Obsolete2 (1 Year)-200Ohm--625mW10V~20VIRS2607DSPBF1-350mA--625mW200mA715 nsNon-Inverting50 ns220ns80 ns150ns 50nsIndependent2IGBT, N-Channel MOSFET200mA 350mA600V1.4986mm4.9784mm3.9878mm-符合RoHS标准-e38EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierDUAL鸥翼260115V30不合格全桥mosfet驱动器0.2AYES0.7 μs
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NCP5109BDR2G | ON Semiconductor | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET DRVR 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R | 对比 | |
![]() | AUIRS2181STR | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Driver 600V 2.3A 2-OUT High and Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R | 对比 |
![]() | IRS2607DSTRPBF | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC | 对比 |



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