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首页 全部分类 IRS2608DSPBF vs NCP5109BDR2G

IRS2608DSPBF备选型号: NCP5109BDR2G

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  • 端子位置
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  • 引脚数量
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  • 关断时间
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  • 输出电流流向
  • 座位高度(最大)
  • Infineon Technologies
    IRS2608DSPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SOIC
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    Obsolete
    2 (1 Year)
    SMD/SMT
    200Ohm
    125°C
    -40°C
    625mW
    10V~20V
    IRS2608DSPBF
    2
    620V
    350mA
    20V
    10V
    625mW
    200mA
    380 ns
    Inverting, Non-Inverting
    60 ns
    220ns
    80 ns
    150ns 50ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    600V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NCP5109BDR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET DRVR 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    10V~20V
    -
    -
    -
    500mA
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-Inverting
    170 ns
    -
    -
    85ns 35ns
    Independent
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    200V
    -
    4.9mm
    3.9mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    10 Weeks
    e3
    yes
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    15V
    未说明
    8
    不合格
    15V
    5mA
    无卤素
    0.17 μs
    0.17 μs
    UNDER VOLTAGE
    水槽
    1.75mm
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