IS25LQ080-JNLE备选型号: SST25VF080B-80-4I-S2AE
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- 描述:
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 操作模式
- 最大电源电流
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 页面尺寸
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电流
- 访问时间
- 地址总线宽度
- 同步/异步
- 字长
- 宽度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOICYES8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装8540.001716mgNon-VolatileBulk-40°C~105°C TADiscontinued3 (168 Hours)82.3V~3.6VDUAL11.27mm不合格3.6V2.5/3.3V2.3VSPI, Serial8Mb 1M x 8SYNCHRONOUS15mA104MHzFLASHSPI - Quad I/O8b11ms8 Mb0.00003A2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE256B4.9mm1.75mmROHS3 Compliant----------------------
- FLASH MEMORY, 8 MBIT, 80 MHZ, 8-SOICYES8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)表面贴装8-Non-VolatileTube-40°C~85°C TAObsolete3 (168 Hours)82.7V~3.6VDUAL11.27mm-3.6V-2.7VSPI, Serial8Mb 1M x 8--80MHzFLASHSPI8b-10μs8 Mb0.00002A2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE-5.4mm-ROHS3 CompliantSST252016e3yes3A991.B.1.AMatte Tin (Sn) - annealed2603V40SST25VF080B83.3V20mA6 ns1bSynchronous8b5.4mm1.91mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SST25VF080B-80-4I-S2AE | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | FLASH MEMORY, 8 MBIT, 80 MHZ, 8-SOIC | 对比 | |
| S25FL208K0RMFI040 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC | 对比 |


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