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首页 全部分类 IS25LQ080B-JBLE vs SST25VF080B-80-4I-S2AE

IS25LQ080B-JBLE备选型号: SST25VF080B-80-4I-S2AE

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • Reach合规守则
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 界面
  • 内存大小
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  • 时钟频率
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  • 内存接口
  • 内存宽度
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  • 页面尺寸
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 数据总线宽度
  • 待机电流-最大值
  • 同步/异步
  • 字长
  • 串行总线类型
  • 耐力
  • 数据保持时间
  • 写入保护
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS25LQ080B-JBLE
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
    YES
    8
    Non-Volatile
    -40°C~105°C TA
    Tube
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    8
    2.3V~3.6V
    DUAL
    1
    3V
    1.27mm
    unknown
    3V
    3.6V
    SPI, Serial
    8Mb 1M x 8
    SYNCHRONOUS
    104MHz
    FLASH
    SPI - Quad I/O
    1
    1ms
    24b
    8 Mb
    2.7V
    256B
    2.16mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    SST25VF080B-80-4I-S2AE
    Microchip Technology
    FLASH MEMORY, 8 MBIT, 80 MHZ, 8-SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
    YES
    8
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    2.7V~3.6V
    DUAL
    1
    3V
    1.27mm
    -
    3.3V
    3.6V
    SPI, Serial
    8Mb 1M x 8
    -
    80MHz
    FLASH
    SPI
    -
    10μs
    1b
    8 Mb
    2.7V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SST25
    2016
    e3
    yes
    3A991.B.1.A
    Matte Tin (Sn) - annealed
    260
    40
    SST25VF080B
    8
    2.7V
    20mA
    6 ns
    8b
    0.00002A
    Synchronous
    8b
    SPI
    100000 Write/Erase Cycles
    100
    HARDWARE/SOFTWARE
    5.4mm
    5.4mm
    1.91mm
    无SVHC
    无
    无铅
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