IS42S16320F-7BLI备选型号: IS42S16160J-7BLI
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 触点镀层
- 底架
- 引脚数
- 数据总线宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA6 Weeks表面贴装54-TFBGAYESVolatile-40°C~85°C TATraye1活跃3 (168 Hours)54Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH3.3VBOTTOM10.8mmR-PBGA-B54不合格3.3V512Mb 32M x 161SYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel32MX163-STATE160.004A536870912 bitCOMMON3.6V3V81921248FP124813mm1.2mm8mmROHS3 Compliant------
- IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA6 Weeks表面贴装54-TFBGA-Volatile-40°C~85°C TATraye1活跃3 (168 Hours)54Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH3.3VBOTTOM10.8mm---256Mb 16M x 161SYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel16MX16-16---3.6V3V---8mm1.2mm-ROHS3 CompliantCopper, Silver, Tin表面贴装5416b13b256 Mb
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16160J-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA | 对比 | |
| IS42S16400J-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 |


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