ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BLI
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IS42S16160J-7BLI
1266-IS42S16160J-7BLI
存储器
54-TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
--最小包装量--
IS42S16160J-7BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
包装/外壳
54-TFBGA
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
引脚数
54
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
3.3V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.8mm
内存大小
256Mb 16M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
143MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
16MX16
内存宽度
16
地址总线宽度
13b
密度
256 Mb
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
3V
座位高度(最大)
1.2mm
长度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42S16160J-7BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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