IS42S16400J-6BL-TR备选型号: IS42S16800F-6BL
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- 电压 - 供电
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- 内存大小
- 时钟频率
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- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
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- 顺序突发长度
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- RoHS状态
- 表面安装
- ECCN 代码
- 附加功能
- 功能数量
- 资历状况
- 电源
- 端口的数量
- 操作模式
- 记忆密度
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R6 Weeks表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile100mA0°C~70°C TATape & Reel (TR)活跃3 (168 Hours)543.3VBOTTOM0.8mm64Mb 4M x 16166MHz5.4nsDRAMParallel16b4MX163-STATE1614b64 Mb0.002ACOMMON40961248FP1248无ROHS3 Compliant-------------
- DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V6 Weeks-表面贴装54-TFBGA54Volatile-0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)543.3VBOTTOM0.8mm128Mb 8M x 16166MHz5.4nsDRAMParallel16b8MX163-STATE16--0.002ACOMMON40961248FP1248-ROHS3 CompliantYESEAR99AUTO/SELF REFRESH1不合格3.3V1SYNCHRONOUS134217728 bit3.6V3V8mm1.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16800F-7BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | 128M, 3.3V, SDRAM, 8MX16, 143M | 对比 | |
| IS42S16800F-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 | |
| CY7C10212DV33-10BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA | 对比 |


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