ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BL-TR
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IS42S16400J-6BL-TR
1266-IS42S16400J-6BL-TR
存储器
54-TFBGA
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DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R
--最小包装量--
IS42S16400J-6BL-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BL-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TFBGA
引脚数
54
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
工作电源电压
3.3V
内存大小
64Mb 4M x 16
电源电流
100mA
时钟频率
166MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
4MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
地址总线宽度
14b
密度
64 Mb
待机电流-最大值
0.002A
I/O类型
COMMON
刷新周期
4096
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42S16400J-6BL-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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