IS42S32200E-6BL备选型号: IS42S32400F-7BLI

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90FBGA
    表面贴装
    表面贴装
    90-TFBGA
    90
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    e1
    yes
    Obsolete
    2 (1 Year)
    90
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.02
    3V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3.3V
    0.8mm
    40
    90
    3.3V
    3.6V
    3V
    64Mb 2M x 32
    1
    160mA
    166MHz
    5.5ns
    DRAM
    Parallel
    32b
    2MX32
    3-STATE
    32
    13b
    64 Mb
    0.002A
    COMMON
    4096
    1248FP
    1248
    13mm
    1.2mm
    符合RoHS标准
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
    表面贴装
    表面贴装
    90-TFBGA
    90
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    90
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.02
    3V~3.6V
    BOTTOM
    -
    1
    3.3V
    0.8mm
    -
    90
    3.3V
    3.6V
    3V
    128Mb 4M x 32
    1
    100mA
    143MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    32b
    4MX32
    3-STATE
    32
    14b
    128 Mb
    0.002A
    COMMON
    4096
    1248FP
    1248
    13mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IS42S32400F-7BLI IS42S32400F-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 90-TFBGA DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA 对比