ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6BL
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IS42S32200E-6BL
1266-IS42S32200E-6BL
存储器
90-TFBGA
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IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90FBGA
--最小包装量--
IS42S32200E-6BL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
引脚数
90
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
90
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
90
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
64Mb 2M x 32
端口的数量
1
电源电流
160mA
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32b
组织结构
2MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
地址总线宽度
13b
密度
64 Mb
待机电流-最大值
0.002A
I/O类型
COMMON
刷新周期
4096
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IS42S32200E-6BL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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