IS42S32800D-7TL备选型号: IS42S32200L-6TL

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 最大电源电流
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 端子表面处理
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 座位高度(最大)
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
    86
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    86
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.24
    3V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    0.5mm
    40
    86
    3.3V
    3.6V
    3V
    256Mb 8M x 32
    1
    150mA
    150mA
    143MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    32b
    8MX32
    13b
    256 Mb
    0.003A
    COMMON
    4096
    1.05mm
    22.42mm
    10.16mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 64M (2Mx32) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
    -
    表面贴装
    表面贴装
    86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
    86
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    e3
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    86
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.02
    3V~3.6V
    DUAL
    -
    1
    3.3V
    0.5mm
    -
    86
    3.3V
    3.6V
    3V
    64Mb 2M x 32
    1
    100mA
    100mA
    166MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    32b
    2MX32
    13b
    64 Mb
    0.002A
    COMMON
    4096
    -
    22.22mm
    -
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    Matte Tin (Sn) - annealed
    3-STATE
    32
    1248FP
    1248
    1.2mm
    无铅
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