IS42S32800D-7TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7TL

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型号

IS42S32800D-7TL

utmel 编号

1266-IS42S32800D-7TL

商品类别

存储器

封装

86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32800D-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32800D-7TL详情

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)

  • 引脚数

    86

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    86

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.24

  • 电压 - 供电

    3V~3.6V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    0.5mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    86

  • 工作电源电压

    3.3V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3V

  • 内存大小

    256Mb 8M x 32

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    150mA

  • 最大电源电流

    150mA

  • 时钟频率

    143MHz

  • 访问时间

    5.4ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    32b

  • 组织结构

    8MX32

  • 地址总线宽度

    13b

  • 密度

    256 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.003A

  • I/O类型

    COMMON

  • 刷新周期

    4096

  • 高度

    1.05mm

  • 长度

    22.42mm

  • 宽度

    10.16mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

右边的3个型号有着和ISSI, Integrated Silicon Solution Inc & IS42S32800D-7TL相似的参数规格。

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