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首页 全部分类 IS42S32800J-75EBL vs IS42VM16400M-75BLI

IS42S32800J-75EBL备选型号: IS42VM16400M-75BLI

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  • 包装/外壳
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
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  • JESD-30代码
  • 电源电压-最大值(Vsup)
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  • 内存大小
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  • 内存格式
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  • 组织结构
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  • 记忆密度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS42S32800J-75EBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    90-TFBGA
    YES
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    e2
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    90
    EAR99
    Tin/Nickel/Copper (Sn/Ni/Cu)
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.24
    3V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3.3V
    0.8mm
    10
    R-PBGA-B90
    3.6V
    3V
    256Mb 8M x 32
    1
    SYNCHRONOUS
    133MHz
    6ns
    DRAM
    Parallel
    8MX32
    32
    268435456 bit
    13mm
    1.2mm
    8mm
    ROHS3 Compliant
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS42VM16400M-75BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
    12 Weeks
    表面贴装
    54-TFBGA
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    54
    EAR99
    -
    AUTO/SELF REFRESH
    -
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1.8V
    0.8mm
    未说明
    S-PBGA-B54
    1.95V
    1.7V
    64Mb 4M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    133MHz
    6ns
    DRAM
    Parallel
    4MX16
    16
    67108864 bit
    8mm
    1.2mm
    8mm
    ROHS3 Compliant
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