ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75EBL
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IS42S32800J-75EBL
1266-IS42S32800J-75EBL
存储器
90-TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
--最小包装量--
IS42S32800J-75EBL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75EBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Nickel/Copper (Sn/Ni/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
JESD-30代码
R-PBGA-B90
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
256Mb 8M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
133MHz
访问时间
6ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
8MX32
内存宽度
32
记忆密度
268435456 bit
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42S32800J-75EBL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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