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首页 全部分类 IS43DR16320C-3DBL vs CYDM128B16-55BVXIT

IS43DR16320C-3DBL备选型号: CYDM128B16-55BVXIT

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  • 端子表面处理
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  • 基本部件号
  • 电源
  • 电源电流-最大值
  • 访问时间（最大）
  • 待机电压-最小值
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43DR16320C-3DBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA
    8 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    84-TFBGA
    84
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    512Mb 32M x 16
    1
    250mA
    120mA
    333MHz
    450ps
    DRAM
    Parallel
    16b
    32MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    15b
    512 Mb
    0.011A
    COMMON
    8192
    48
    48
    12.5mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CYDM128B16-55BVXIT
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA
    -
    -
    -
    表面贴装
    100-VFBGA
    100
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    100
    -
    1.7V~1.9V 2.4V~2.6V 3V~3.6V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.5mm
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    128Kb 8K x 16
    2
    -
    -
    -
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    8KX16
    3-STATE
    16
    55ns
    26b
    128 kb
    0.000006A
    COMMON
    -
    -
    -
    6mm
    1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    YES
    2005
    e1
    yes
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    20
    CYDM
    1.8/3V
    0.06mA
    55 ns
    1.7V
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