Cypress Semiconductor Corp CYDM128B16-55BVXIT

安装类型

表面贴装

包装/外壳

100-VFBGA

表面安装

YES

引脚数

100

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

100

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 供电

1.7V~1.9V 2.4V~2.6V 3V~3.6V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

1.8V

端子间距

0.5mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

基本部件号

CYDM

工作电源电压

1.8V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9V

电源

1.8/3V

电源电压-最小值(Vsup)

1.7V

内存大小

128Kb 8K x 16

端口的数量

2

电源电流-最大值

0.06mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

8KX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

26b

密度

128 kb

待机电流-最大值

0.000006A

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

1.7V

长度

6mm

座位高度(最大)

1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅