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首页 全部分类 IS43DR16640C-25DBLI vs IS43TR16640BL-125JBL

IS43DR16640C-25DBLI备选型号: IS43TR16640BL-125JBL

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  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
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  • 地址总线宽度
  • 密度
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  • 最高频率
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • HTS代码
  • 时钟频率
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43DR16640C-25DBLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
    8 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    84-TFBGA
    84
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    EAR99
    锡银铜
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    260
    1
    1.8V
    0.8mm
    10
    不合格
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    1Gb 64M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    400ps
    DRAM
    Parallel
    16b
    64MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    13b
    1 Gb
    0.025A
    400MHz
    COMMON
    8192
    48
    48
    12.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43TR16640BL-125JBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA
    6 Weeks
    -
    -
    表面贴装
    96-TFBGA
    96
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    96
    EAR99
    锡银铜
    AUTO/SELF REFRESH
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1.5V
    0.8mm
    未说明
    -
    1.35V
    1.575V
    1.425V
    1Gb 64M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    20ns
    DRAM
    Parallel
    -
    64MX16
    -
    16
    15ns
    13b
    1 Gb
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    13mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    YES
    8542.32.00.32
    800MHz
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IS43TR16640BL-125JBL IS43TR16640BL-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 96-TFBGA DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA 对比