IS43DR16640C-25DBLI备选型号: MT47H64M16NF-187E:M
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 最高频率
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 表面安装
- 已出版
- 无铅代码
- HTS代码
- 基本部件号
- 引脚数量
- 辐射硬化
- IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA8 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装84-TFBGA84Volatile-40°C~85°C TATraye1活跃3 (168 Hours)84EAR99锡银铜AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.9VBOTTOM26011.8V0.8mm10不合格1.8V1.9V1.7V1Gb 64M x 161SYNCHRONOUS400psDRAMParallel16b64MX163-STATE1615ns13b1 Gb0.025A400MHzCOMMON8192484812.5mm1.2mmROHS3 Compliant-------
- IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 84FBGA12 Weeks--表面贴装84-TFBGA84Volatile0°C~85°C TCBulke1不用于新设计3 (168 Hours)84EAR99锡银铜AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.9VBOTTOM26011.8V0.8mm30-1.8V1.9V1.7V1Gb 64M x 161-350psDRAMParallel16b64MX163-STATE1615ns13b1 Gb-533MHzCOMMON8192484812.5mm1.2mmROHS3 CompliantYES2014yes8542.32.00.32MT47H64M1684无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR16640BL-125JBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA | 对比 |



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