IS43R16160D-5BL备选型号: IS43R16320D-5BLI
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源
- DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM8 Weeks表面贴装表面贴装60-TFBGA60Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)60EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.242.3V~2.7VBOTTOM12.5V0.8mm602.5V2.7V2.3V256Mb 16M x 161330mA200MHz700psDRAMParallel16b16MX163-STATE1615ns15b256 Mb0.004ACOMMON819224824813mm1.2mm无ROHS3 Compliant无铅------
- DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA8 Weeks表面贴装表面贴装60-TFBGA60Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)60EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.282.5V~2.7VBOTTOM12.6V1mm602.5V2.7V-512Mb 32M x 161430mA200MHz700psDRAMParallel16b32MX163-STATE1615ns15b512 Mb0.025ACOMMON819224824813mm1.2mm无ROHS3 Compliant-e1yes锡银铜260402.6V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT47H64M8SH-25E:H | Micron Technology Inc. | 存储器 | 60-TFBGA | IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA | 对比 |
| IS42S16160G-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 | |
| IS43LR16160G-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM | 对比 |



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