ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BL
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IS43R16160D-5BL
1266-IS43R16160D-5BL
存储器
60-TFBGA
大陆
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DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
--最小包装量--
IS43R16160D-5BL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
电压 - 供电
2.3V~2.7V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.8mm
引脚数量
60
工作电源电压
2.5V
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
256Mb 16M x 16
端口的数量
1
电源电流
330mA
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
15b
密度
256 Mb
待机电流-最大值
0.004A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
248
交错突发长度
248
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IS43R16160D-5BL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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