Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E:H
- 收藏
- 对比
MT47H64M8SH-25E:H
1616-MT47H64M8SH-25E:H
存储器
60-TFBGA
大陆
立即发货

IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA
--最小包装量--
MT47H64M8SH-25E:H详情
Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E:H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Bulk
已出版
2014
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT47H64M8
引脚数量
60
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 64M x 8
端口的数量
1
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
64MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
14b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.01A
最高频率
400MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
10mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT47H64M8SH-25E:H拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。