IS43R16800E-5TL备选型号: IS43R16160D-6TLI
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- 终止次数
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 资历状况
- 工作电源电压
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- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
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- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 触点镀层
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- HTS代码
- 引脚数量
- 最大电源电流
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- DRAM 128M (8Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM8 Weeks表面贴装表面贴装66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)66Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)66AUTO/SELF REFRESH2.3V~2.7VDUAL12.5V0.65mm不合格2.5V2.7V2.3V128Mb 8M x 161240mASYNCHRONOUS200MHz700psDRAMParallel16b8MX163-STATE1615ns14b128 Mb0.003ACOMMON409624824822.22mm1.2mmROHS3 Compliant--------
- DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM8 Weeks表面贴装表面贴装66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)66Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)66AUTO/SELF REFRESH2.3V~2.7VDUAL12.5V0.65mm-2.5V2.7V2.3V256Mb 16M x 161280mA-166MHz700psDRAMParallel16b16MX163-STATE1615ns15b256 Mb0.004ACOMMON819224824822.22mm1.2mmROHS3 CompliantTine3EAR998542.32.00.2466280mA无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43R16160D-5TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 | |
| IS43R16160D-6TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v | 对比 | |
| IS43R16160D-6TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 |


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