IS46LR16320C-6BLA2备选型号: IS42S16320B-7BL

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  • RoHS状态
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 高度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    60-TFBGA
    60
    Volatile
    -40°C~105°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    不合格
    1.8V
    1.95V
    1.7V
    512Mb 32M x 16
    1
    110mA
    SYNCHRONOUS
    60mA
    166MHz
    5.5ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    32MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    15b
    512 Mb
    0.0003A
    AEC-Q100
    COMMON
    8192
    24816
    24816
    10mm
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin WBGA
    -
    表面贴装
    表面贴装
    54-TFBGA
    54
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    54
    AUTO/SELF REFRESH
    3V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    0.8mm
    -
    3.3V
    3.6V
    3V
    512Mb 32M x 16
    1
    150mA
    -
    150mA
    143MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    32MX16
    3-STATE
    -
    -
    15b
    512 Mb
    0.004A
    -
    COMMON
    8192
    -
    -
    13mm
    -
    符合RoHS标准
    e1
    yes
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    10
    54
    800μm
    11mm
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