IS46TR16640A-125JBLA2备选型号: IS43TR16640BL-107MBLI
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 筛选水平
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 数据总线宽度
- DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V Automotive 96-Pin FBGA表面贴装96-TFBGAYES96Volatile-40°C~105°C TCTrayDiscontinued3 (168 Hours)96EAR99AUTO SELF REFRESH MODE, ALSO OPERATES AT 1.35 V NOMINAL SUPPLY8542.32.00.321.425V~1.575VBOTTOM11.5V0.8mm96不合格1.5V1.575V1.425V1Gb 64M x 161210mASYNCHRONOUS800MHz20nsDRAMParallel64MX163-STATE1615ns16b1 Gb0.015AAEC-Q100COMMON8192484813mm1.2mmROHS3 Compliant--------
- IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA表面贴装96-TFBGA-96Volatile-40°C~95°C TCTray活跃3 (168 Hours)96EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.321.283V~1.45VBOTTOM11.35V0.8mm--1.35V1.45V1.283V1Gb 64M x 161-SYNCHRONOUS933MHz20nsDRAMParallel64MX16-1615ns13b1 Gb------13mm1.2mmROHS3 Compliant6 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装e1锡银铜未说明未说明16b
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR16640BL-125JBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA | 对比 | |
| IS43TR16640BL-107MBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA | 对比 |


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