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首页 全部分类 IS61DDB21M36-250M3L vs IS61QDB22M18-250M3L

IS61DDB21M36-250M3L备选型号: IS61QDB22M18-250M3L

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Current - Supply (Nom)
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • RoHS状态
  • 端子间距
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61DDB21M36-250M3L
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 36M (1Mx36) 250MHz DDR II Sync SRAM
    表面贴装
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    550mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    e1
    yes
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    165
    锡银铜
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    260
    1
    40
    不合格
    36Mb 1M x 36
    1
    250MHz
    350 ps
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    36
    20b
    36 Mb
    0.2A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61QDB22M18-250M3L
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 36Mb 2Mbx18 250Mhz QUAD Sync SRAM
    表面贴装
    表面贴装
    165-LBGA
    165
    Volatile
    700mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    e1
    yes
    Discontinued
    2 (1 Year)
    165
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    260
    1
    40
    -
    36Mb 2M x 18
    2
    250MHz
    7.5ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    18
    20b
    36 Mb
    -
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    Non-RoHS Compliant
    1mm
    1.71V
    1.89V
    1.71V
    17mm
    1.7mm
    无
  • 添加型号
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