ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36-250M3L

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-LBGA

引脚数

165

Memory Types

Volatile

Current - Supply (Nom)

550mA

操作温度

0°C~70°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

165

端子表面处理

锡银铜

附加功能

流水线结构

电压 - 供电

1.8V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

资历状况

不合格

内存大小

36Mb 1M x 36

端口的数量

1

时钟频率

250MHz

访问时间

350 ps

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

36

地址总线宽度

20b

密度

36 Mb

待机电流-最大值

0.2A

I/O类型

COMMON

同步/异步

Synchronous

字长

36b

RoHS状态

ROHS3 Compliant