IS61DDB22M18A-250B4LI备选型号: IS61QDB22M18-250M3L

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 内存大小
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 记忆密度
  • 电压 - 供电 (最大值)
  • 电压 - 供电 (最小值)
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • Current - Supply (Nom)
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 端口的数量
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 36Mb, 2M x 18 DDR-II Sync SRAM
    表面贴装
    165-LBGA
    YES
    165
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    165
    3A991.B.2.A
    流水线结构
    8542.32.00.41
    1.8V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1mm
    未说明
    36Mb 2M x 18
    250MHz
    8.4ns
    SRAM
    Parallel
    2MX18
    18
    37748736 bit
    1.89V
    1.71V
    15mm
    1.4mm
    13mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 36Mb 2Mbx18 250Mhz QUAD Sync SRAM
    表面贴装
    165-LBGA
    -
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    Discontinued
    2 (1 Year)
    165
    -
    流水线结构
    -
    1.8V
    BOTTOM
    260
    1
    1mm
    40
    36Mb 2M x 18
    250MHz
    7.5ns
    SRAM
    Parallel
    -
    18
    -
    1.89V
    1.71V
    17mm
    1.7mm
    -
    Non-RoHS Compliant
    表面贴装
    700mA
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    2
    3-STATE
    20b
    36 Mb
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    1.71V
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