IS61DDB24M18A-300B4LI备选型号: IS61DDB22M36A-300B4LI
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 记忆密度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- SRAM 72Mb, 4M x 18 DDR-II Sync SRAM12 Weeks表面贴装165-LBGAYES165Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)1653A991.B.2.A流水线结构8542.32.00.411.71V~1.89VBOTTOM未说明11.8V1mm未说明1651.89V1.71V72Mb 4M x 18300MHz450 psSRAMParallel4MX181875497472 bit15mm1.4mm13mmROHS3 Compliant
- SRAM 72Mb, 2M x 36 DDR-II Sync SRAM12 Weeks表面贴装165-LBGAYES165Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)1653A991.B.2.A流水线结构8542.32.00.411.71V~1.89VBOTTOM未说明11.8V1mm未说明1651.89V1.71V72Mb 2M x 36300MHz450 psSRAMParallel2MX363675497472 bit15mm1.4mm13mmROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61QDB22M18-250M3L | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-LBGA | SRAM 36Mb 2Mbx18 250Mhz QUAD Sync SRAM | 对比 | |
| IS61DDB21M18A-300B4L | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-LBGA | SRAM 18Mb, 1M x 18 DDR-II Sync SRAM | 对比 | |
| IS61DDB22M36A-300B4LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-LBGA | SRAM 72Mb, 2M x 36 DDR-II Sync SRAM | 对比 |


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