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IS61LPS25636A-200B3LI备选型号: IS61NLP25636A-200B2LI

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  • 包装/外壳
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
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  • 输出特性
  • 内存宽度
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  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61LPS25636A-200B3LI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA
    12 Weeks
    表面贴装
    165-TBGA
    YES
    165
    Volatile
    275mA
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    165
    3A991.B.2.A
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    流水线结构
    3.3V
    BOTTOM
    260
    1
    1mm
    40
    9Mb 256K x 36
    4
    200MHz
    3.1ns
    SRAM
    Parallel
    256KX36
    3-STATE
    36
    18b
    9 Mb
    0.105A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    3.135V
    15mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61NLP25636A-200B2LI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns 119-Pin BGA
    -
    表面贴装
    119-BBGA
    YES
    119
    Volatile
    280mA
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    119
    3A991.B.2.A
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    流水线结构
    3.135V~3.465V
    BOTTOM
    260
    1
    1.27mm
    10
    9Mb 256K x 36
    4
    200MHz
    3.1ns
    SRAM
    Parallel
    256KX36
    3-STATE
    36
    18b
    9 Mb
    0.05A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    3.135V
    22mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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