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首页 全部分类 IS61LV12824-10BL vs 71V3557S75BGG

IS61LV12824-10BL备选型号: 71V3557S75BGG

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • Current - Supply (Nom)
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 频率
  • 温度等级
  • 界面
  • 访问时间
  • 待机电流-最大值
  • 座位高度(最大)
  • 器件厚度
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61LV12824-10BL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA
    表面贴装
    119-BGA
    YES
    119
    Volatile
    180mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    e1
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    119
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    3.3V
    BOTTOM
    260
    1
    40
    3Mb 128K x 24
    1
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    10ns
    17b
    3 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    24b
    3V
    3.63V
    2.97V
    22mm
    14mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71V3557S75BGG
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 7.5ns 119-Pin BGA Tube
    -
    BGA
    -
    119
    RAM, SRAM
    275mA
    -
    -
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    119
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    3.3V
    BOTTOM
    260
    1
    30
    -
    1
    -
    -
    3-STATE
    -
    17b
    4.5 Mb
    COMMON
    Synchronous
    36b
    -
    3.465V
    3.135V
    14mm
    22mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    7 Weeks
    表面贴装
    2009
    70°C
    0°C
    FLOW-THROUGH ARCHITECHTURE
    BALL
    100MHz
    COMMERCIAL
    Parallel
    7.5 ns
    0.04A
    2.36mm
    2.15mm
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