ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10BL
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IS61LV12824-10BL
1266-IS61LV12824-10BL
存储器
119-BGA
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IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA
1最小包装量--
IS61LV12824-10BL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
119-BGA
表面安装
YES
引脚数
119
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
180mA
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
119
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
3.3V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
内存大小
3Mb 128K x 24
端口的数量
1
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
17b
密度
3 Mb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
24b
待机电压-最小值
3V
电压 - 供电 (最大值)
3.63V
电压 - 供电 (最小值)
2.97V
长度
22mm
宽度
14mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IS61LV12824-10BL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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