IS61NLP102418B-250B3L备选型号: IS61NVP51236B-200B3LI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 内存大小
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 记忆密度
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 宽度
- 座位高度(最大)
- 长度
- RoHS状态
- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA12 WeeksYES165-TBGA表面贴装165VolatileTray0°C~70°C TA活跃3 (168 Hours)1653.135V~3.465VBOTTOM未说明11mm未说明18Mb 1M x 18200MHz3nsSRAMParallel1MX181818874368 bit3.465V3.135V13mm1.2mm15mmROHS3 Compliant
- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA12 WeeksYES165-TBGA表面贴装165VolatileTray-40°C~85°C TA活跃3 (168 Hours)1652.5VBOTTOM未说明11mm未说明18Mb 512K x 36200MHz3nsSRAMParallel512KX363618874368 bit2.625V2.375V13mm1.2mm15mmROHS3 Compliant
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT49H16M36BM-33:B | Micron Technology Inc. | 存储器 | 144-TFBGA | DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 16Mx36 1.8V 144-Pin mBGA Tray | 对比 |
| IS61NLP51236B-200B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA | 对比 | |
| IS61NVP51236B-200B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA | 对比 |



哦! 它是空的。