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首页 全部分类 IS61NLP102418B-250B3L vs MT49H16M36BM-33:B

IS61NLP102418B-250B3L备选型号: MT49H16M36BM-33:B

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  • I/O类型
  • 顺序突发长度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61NLP102418B-250B3L
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
    12 Weeks
    YES
    165-TBGA
    表面贴装
    165
    Volatile
    Tray
    0°C~70°C TA
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    3.135V~3.465V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1mm
    未说明
    18Mb 1M x 18
    200MHz
    3ns
    SRAM
    Parallel
    1MX18
    18
    18874368 bit
    3.465V
    3.135V
    13mm
    1.2mm
    15mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT49H16M36BM-33:B
    Micron Technology Inc.
    DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 16Mx36 1.8V 144-Pin mBGA Tray
    -
    -
    144-TFBGA
    表面贴装
    144
    Volatile
    Bulk
    0°C~95°C TC
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    144
    1.8V
    BOTTOM
    -
    1
    1mm
    -
    576Mb 16M x 36
    -
    20ns
    DRAM
    Parallel
    16MX36
    36
    -
    1.9V
    1.7V
    -
    1.2mm
    18.5mm
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    2015
    e1
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    自动刷新
    8542.32.00.32
    MT49H16M36
    1.5/1.81.82.5V
    1
    36b
    3-STATE
    23b
    576 Mb
    0.055A
    300MHz
    COMMON
    248
    无
    无铅
  • 添加型号
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