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IS61NLP102436B-200B3LI备选型号: IS61NVP51236B-200B3LI
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IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA12 Weeks表面贴装165-TBGAYES165Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)1653A991.B.2.A8542.32.00.413.3VBOTTOM11mm不合格2.5/3.33.3V36Mb 1M x 36200MHz3.1nsSRAMParallel1MX363-STATE360.12A37748736 bitCOMMON3.14V3.465V3.135V15mm1.2mm13mmROHS3 Compliant--- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA12 Weeks表面贴装165-TBGAYES165Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)165--2.5VBOTTOM11mm--18Mb 512K x 36200MHz3nsSRAMParallel512KX36-36-18874368 bit--2.625V2.375V15mm1.2mm13mmROHS3 Compliant未说明未说明
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT49H16M36BM-33:B | Micron Technology Inc. | 存储器 | 144-TFBGA | DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 16Mx36 1.8V 144-Pin mBGA Tray | 对比 |
| IS61NLP51236B-200B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA | 对比 |
| IS61NVP51236B-200B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA | 对比 |
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