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IS61QDB21M18A-250B4LI备选型号: IS61DDB21M18A-300B4L
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- 电压 - 供电 （最小值）
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- RoHS状态
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SRAM 18Mb 1Mx18 250Mhz QUAD Sync SRAM12 Weeks表面贴装165-LBGAYES165Volatile950mA-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)165流水线结构1.8VBOTTOM11mm不合格18Mb 1M x 182250MHz8.4 nsSRAMParallel1MX183-STATE1819b18 MbSEPARATESynchronous18b1.7V1.89V1.71V15mm1.4mmROHS3 Compliant--- SRAM 18Mb, 1M x 18 DDR-II Sync SRAM12 Weeks表面贴装165-LBGAYES165Volatile550mA0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)165流水线结构1.8VBOTTOM11mm-18Mb 1M x 182300MHz450 psSRAMParallel1MX18-1820b18 Mb-Synchronous18b-1.89V1.71V15mm1.4mmROHS3 Compliant未说明未说明
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY7C1320KV18-250BZC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA | 对比 |
| CY7C1312KV18-250BZI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA | 对比 |
| IS61DDB21M18A-300B4L | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-LBGA | SRAM 18Mb, 1M x 18 DDR-II Sync SRAM | 对比 |
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