IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR备选型号: IS61WV25616BLL-10TLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 供电
- 内存大小
- 内存格式
- 内存接口
- 写入周期时间 - 字符、页面
- RoHS状态
- 表面安装
- Current - Supply (Nom)
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源
- 端口的数量
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM8 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)活跃3 (168 Hours)2.4V~3.6V8Mb 512K x 16SRAMParallel10nsROHS3 Compliant----------------------------
- IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II8 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)44Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)3.3V4Mb 256K x 16SRAMParallel10nsROHS3 CompliantYES45mAe3yes44Matte Tin (Sn) - annealedDUAL26010.8mm402.5/3.3V13-STATE18b4 Mb0.009ACOMMONAsynchronous16b2V3.6V2.4V1.05mm18.54mm10.29mm无无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV10248EDBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | SRAM 8M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM | 对比 | |
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
| CY7C1021DV33-10ZSXIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C1021DV33-10ZSXIT SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, TSOP-44 | 对比 |


哦! 它是空的。